記者陳苗生/綜合報導
AI需求帶動記憶體供需緊張，全球記憶體市場第三季合約價漲幅，將高於預期！業界指出，三星電子啟動第三季DRAM合約價格協商，平均產品目標漲幅上看20％；NAND Flash價格將續漲至35％～40％。
SK海力士尚未公布DRAM第三季合約價，據業界消息指稱，應較三星漲幅更高。
業者表示，今年記憶體市場完全轉為賣方市場，三大原廠包括三星、SK海力士及美光，握有定價主導權。無論AI伺服器、智慧手機、PC、汽車電子、網通設備，或機器人等終端產品，均仰賴DRAM及NAND供貨，一旦停止採購，整機出貨將受影響。因此，即使記憶體漲價造成產品成本大增，多數客戶仍須接受新價格，以確保供應穩定。
業者指出，隨AI基建持續擴張，近年大型雲端服務業者（CSP）及系統廠，積極與記憶體原廠簽訂長期供貨協議（LTA）及策略合作協議（SCA），提前鎖定未來數年供貨來源，使市場現貨供給更吃緊，也提高原廠議價能力，價格循環已由過去短周期，轉向中長期供需主導。
不只DRAM漲不停，NAND Flash價格漲勢也後來居上。市場人士指出，繼SanDisk率先啟動第三季漲價後，其他原廠陸續跟進，部分產品漲幅可能高於DRAM，反映企業級SSD、AI儲存及資料中心需求持續增加，以及原廠持續控管供給策略。
多家研調機構先前預估，今年第三季DRAM及NAND合約價，將較第二季續漲，但漲幅較上半年收斂。其中TrendForce預估，一般型DRAM第三季合約價季增約13％至18％，NAND Flash約季增10％至15％。不過，近期原廠陸續展開第三季價格協商，市場認為，最終實際成交價格，高於原先預期。
法人表示，今年記憶體市場最大變化，在於AI需求已成為價格主導力量。HBM持續供不應求，今年下半年每GB售價，可望由第二季約2.2美元，大幅提升至3.5至4美元。
DDR5、LPDDR5X及企業級SSD需求同步增加，加上主要原廠將產能持續轉向高階產品，一般DRAM及NAND有效供給增幅有限，預期第三季價格仍將維持上升趨勢，記憶體產業高獲利循環可望延續至2027年。（圖片/新聞來源：工商時報/工研院/產業科技國際策略發展所）
